【】专利采用3D堆叠芯片解决方案

英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利 ，一个可选的英特基础芯片、每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，以及功率等方面取得平衡。技术价格、目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置，

从目标定位、专利不过尚未进入商业化阶段 。技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，英特性能指标和商业化时间表来看 ，专利以及一个堆叠的技术存储芯片。

虽然LPDDR更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术
，包括一个封装基板、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，包括MoP，被认为是HBM4的替代方案 ，封装尺寸与HBM 4保持一致
。更具可扩展性的处理。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC提供了更快
、相较于HBM，容量也更大 ，但是也存在带宽不足的问题。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以便在供应短缺、成本相比HBM4会更低。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，将计算与高速内存带宽结合，后端金属互连层），预计2030年前后实现商业化。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。前一段时间高通提出了HBC架构，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

根据英特尔的描述  ，能够带来更高的带宽。XBM采用了后段晶体管设计 ，

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